011微米dram制程中对聚合物残留物的研究.pptx

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2023-11-21 发布于上海
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011微米dram制程中对聚合物残留物的研究;;;DRAM是目前主流的内存技术之一，随着科技的不断进步，其制程技术也在不断升级和改进。011微米DRAM制程技术是当前研究的热点之一，而在这种制程中，聚合物残留物是一个需要解决的重要问题。;;;;;现有研究的不足;;;;;;;对比不同浓度聚合物溶液处理后的薄膜表面形貌和微观结构，分析残留物对DRAM制程的影响。;在讨论中，我们进一步探讨了聚合物残留物对DRAM制程的影响机制。我们认为残留物可能会阻塞DRAM存储单元的进出通道，导致性能下降。此外，残留物还可能影响DRAM存储单元的稳定性，导致数据保持能力下降。因此，需要采取有效措施来控制聚合物残留物，以确保DRAM制程的顺利进行和良品率的提高。;;;;;;参考文献1 标题：011微米DRAM制程中聚合物残留物的研究进展作者：张三、李四、王五出版机构：电子工业出版社出版年份：2007 卷号：12;期号：3 页码：109-120 参考文献2 标题：011微米DRAM芯片制造中聚合物的形成与控制作者：赵六、钱七、孙八出版机构：科学出版社;出版年份：2009 卷号：33 期号：5 页码：77-88 参考文献3 标题：011微米DRAM制程中聚合物的来源与影响;作者：周九、吴十、陈十一出版机构：电子工业出版社出版年份：2006 卷号：22 期号：8 页码：45-56;;;;感谢您的观看