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2023-11-18 发布于四川
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半导体样品提取方法及装置.pdf

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本申请涉及样品提取技术领域，提供一种半导体样品提取方法及装置。所述方法包括：控制探针将第一半导体样品置入透射电子显微镜的栅格内，得到位于栅格内的第二半导体样品和位于探针的针尖上的第三半导体样品；控制第三半导体样品与第二半导体样品的第一侧面进行焊接，得到第一焊接部；控制离子束在第二半导体样品靠近第一焊接部处纵向切割，得到与第三半导体样品焊接的第四半导体样品；控制探针对第四半导体样品进行提取。本申请实施例提供的半导体样品提取方法及装置可以避免探针针尖与第四半导体样品的直接接触，从而避免提取过程中对探

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117074122 A (43)申请公布日 2023.11.17 (21)申请号 202310829395.5 (22)申请日 2023.07.07 (71)申请人英诺赛科（苏州）半导体有限公司地

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