2023年昆山市重点研发计划（产业前瞻与关键核心技术）“揭榜挂帅”项目指南.docx

2023年昆山市重点研发计划（产业前瞻与关键核心技术）“揭榜挂帅”项目指南 一、电子信息 1101 应用于卫星通信的Ku波段氮化镓功率放大器芯片的关键技术研发 需求目标：满足卫星通讯在Ku频段所需的高增益、高带宽以及高可靠性功率放大单片集成电路芯片（MMIC），开展中频段氮化镓有源和无源管芯工艺开发，建立高精度的PKD和管芯模型，并在此基础之上进行芯片电路设计，开发芯片失效验证技术，最终形成可应用于民用卫星通信的高可靠性氮化镓微波集成电路芯片产品，获得应用验证。 考核指标：（1）GaNMMIC芯片，工作频率为12-18GHz，饱和输出功率≥25dBm，小信号增益≥12dB；（2）有源管芯指标：截止频率≥20GHz，增益＞11dB，效率＞45%；（3）无源管芯指标：电容＞0.2-10.5pF、电阻(10-2k）Ω、电感0.3-4.5nH；（4）模型误差小于10%。 应用要求：该项目产品指标通过第三方检测，获得卫星通信厂商验证通过。 1102 扇入型晶圆级封装技术研发 需求目标：针对半导体芯片封装的高集成度和高心梗的迫切需求，开展先进封装前段制程的铜柱微凸点技术，研发高密度铜柱微凸点技术，精细RDL制造技术工艺，晶圆减薄技术，解决芯片可靠性电性互连问题，实现高端集成电路封装芯片基板互联。 考核指标：（1）铜凸点间距：8寸100um/12寸100um；（2）减薄后的厚度:8寸150um/12寸200um；（3）电互连密度5um~5um；（4）电流密度7*105A/cm^2；（5）电阻率1.7mΩ*cm；（6）RDL线宽/线间距:10/10um；（7）芯片尺寸最大：7*7mm；最小尺寸：0.4*0.2mm。 应用要求：该项目的成果须通过国内著名半导体厂商的应用验证。 二、装备制造 1103 亚微米级智能精密复合磨削中心关键技术研发 需求目标：针对航空航天、汽车制造、工业母机等领域里外圆、内圆、端面、轮廓、螺纹等复杂特征零件的高精高效智能磨削需求，开展精密复合磨削中超精密万能型工件头架、高精度砂轮主轴系统、高精度回转数控“B”轴系统等关键技术研发，研究主轴系统、磨床整机的性能衰退机理以及可靠性实现技术，开发高精度高速内磨主轴与智能磨削工艺，成功开发高精高效智能复合磨削中心，实现在国内知名汽车部件供应厂商或工业母机领域应用验证和示范应用。 考核指标：（1）亚微米级智能精密复合磨削中心，①X/Z轴定位精度0.003/0.004mm；②X/Z轴重复定位精度0.0015/0.002mm；③B轴定位精度≤1″；④C轴定位精度≤+/-0.5°；⑤工件磨削圆度最高可达0.2μm；⑥工件磨削圆柱度≤2μm/m（1000mm标准长度试件）；⑦四轴联动智能精密磨削；（2）精密磨床主轴系统性能评估方法与可靠性测试平台，实现主轴系统关键时变特性参数、驱控参数、精度指标等3大类可靠性指标的测量，针对主轴系统整体惯量、动态摩擦特性、回转精度与跳动等关键指标的测量与预测误差小于2%；实现高性能电主轴负载工况转速波动小于0.3%；磨床平均无故障工作时间MTBF≥2500小时；（3）开发高精度高速内磨主轴，主轴额定扭矩6.8NM，最高转速24000RPM，端部跳动≤1um；（4）项目期申请知识产权12项，其中发明4项，实用新型6项，软件著作权2项；（5）开发的亚微米级智能精密复合磨削中心通过国家权威检测机构检测。 应用要求：该项目研发成果须通过国内知名汽车部件供应厂商或工业母机领域应用验证和示范应用。 1104 基于脉冲射频辉光放电光谱仪技术的研发 需求目标：可对纳米级以及百微米级的膜层结构进行深度剖析；在建立设备深度分辨率函数基础上，可对测量得到的深度谱进行定量分析；通过第三方提供的标样，建立将元素强度转换成浓度的数据库（工作曲线）；通过制备膜层结构已知的标样，建立将溅射时间转换为溅射深度的数据库。 考核指标：（1）激发源：频率为13.56MHz的射频水冷式固态发生器，可以在RF、脉冲RF或是VDC下运行最大功率150W；（2）光谱范围：120nm~800nm；（3）光谱仪：恒温系统（38±0.1℃);（4）焦距998.8mm；2160gr/mm光栅；（5）光谱分辨率：18pm~25pm；（6）深度分辨率：1~2nm；（7）最多元素通道：48个；（8）检测器：PMT；（9）真空度：小于3Pa；（10）软件：WinGDOES；（11）授权专利10项，其中发明专利2项；实用新型专利5项；软件著作权2项；外观专利1项。 应用要求：该项目的成果须通过国内专业的第三方检测机构的检测验证。 1105 用于VR/AR/MR领域的超高分辨率硅基OLED微显示技术研发 需求目标：针对VR/AR/MR近眼显示设备对高亮度、高分辨率、高效率低功耗的需求，开展高均匀性硅基OLEDArray电