占空比过渡区掩模校正.pdfVIP

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此处所述的实施方式提供形成具有连续增加或减少的占空比的光学器件结构的方法。一个实施方式包括一种器件。器件包括多个光学器件结构。多个光学器件结构的各个光学器件结构包括多个离散区。多个离散区的各个离散区具有临界尺寸。器件进一步包括多个过渡区,设置于多个离散区的两个离散区之间。多个过渡区的各个过渡区的临界尺寸横跨多个光学器件结构的各个光学器件结构的长度连续增加或减少。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117120883 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202180094104.1 (74)专利代理机构 北京律诚同业知识产权代理 (22)申请日 2021.12.

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