砷化镓(必威体育精装版整理版).pptxVIP

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砷化镓 GaAs M10材料科学与工程 主讲人:郑贤高 ;;; 砷化镓:是一种重要的半导体材料,属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。化学式GaAs,分子量144.63,属闪锌矿型晶格结构,晶格常数5.65×10-10m,熔点1238℃,黑灰色固体,它在600℃以下,能在空气中稳定存在,并且不为非氧化性的酸侵蚀。 ;发展历程:;性质与属性:;砷化镓材料的分类:;两种制造技术:; LPE技术优缺点: ;MOCVD 技术; 20 世纪70 年代末,MOCVD 开始用于研 GaAs 太阳电池。与L PE 比,MOCVD 虽然设备成本较高,但具有不可比拟的优越性。 ;国外技术进展:; 缺陷控制;砷化镓中的杂质 ;;国家策支持明细化鼓励各地新建光伏电站采用砷化镓光伏电池;应用情况:;砷化镓太阳能电池;国内、外应用:;国外应用:;参考文献 [1 ]  CHIANG P K, et al . Experimental results of Ga InP/ GaAs/ Ge triple junction cell development for space sys2 terns[ C ] . Washington DC: Proceedings of 25th IEEE PVSC , 1996 , 183~186. [2 ]  KURTZ S R , MYERS D , OLSON J M. Projected per2 formance of three2and four2junction devices using GaAs and Ga InP[C] . Anaheim CA : Proceedings of 26th IEEE PVSC , 1997 , 875~878. [3 ]  CROSS T A , et al . GaAs solar panels for small satelli2 ets : Performance data and technology trends[C] . Wash2 ington DC: Proceedings of 25th IEEE PVSC , 1996 , 277 ~282. [4 ]  YAMAGUCHI M , KATSUMOTO S , AMANO C. A unified model for radiation2resistance of advanced space solar cells [ C ] . Hawaii : Proceedings of WCPEC21 , 1994 , 2149~2152.;Thank You!;感谢阅读

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