《烧结型银导体浆料》.docx

1 YS/T 603—202 × 烧结型银导体浆料 1 范围 本文件规定了烧结型银导体浆料的分类和标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运 输、贮存及随行文件和订货单内容。 本文件适用于烧结峰值温度在 400 ℃~930 ℃的烧结型银导体浆料（以下简称银浆）。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T 17473.1 微电子技术用贵金属浆料测试方法 固体含量测定 GB/T 17473.2 微电子技术用贵金属浆料测试方法 细度测定 GB/T 17473.3 微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定 GB/T 17473.4 微电子技术用贵金属浆料测试方法 附着力测定 GB/T 17473.5 微电子技术用贵金属浆料测试方法 粘度测定 GB/T 17473.7 微电子技术用贵金属浆料测试方法 可焊性、耐焊性试验 GB/T 19445 贵金属及其合金产品的包装、标志、运输、贮存 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 烧结 sintering 粉料和粒状物料经加热至一定温度范围发生物理化学变化，同时改变其性质，形成功能相的过程。 3.2 银导体浆料 silver conductive paste 由银粉、无机添加物和有机载体组成的一种满足于印刷特性或涂敷的膏状物，用于微电子行业厚膜 布线、导电粘结等。 3.3 固体含量 solid content 银浆在 750 ℃, 灼烧 10～15 min 后，剩余物质质量与试料质量的比值， 以质量分数表示。 3.4 粘度 viscosity 银浆流体内阻碍一层流体与另一层流体作相对运动的特性的度量。 3.5 细度 fineness 银浆中颗粒物的分散程度。 3.6 方阻 sheet resistance 银浆经烧结后，为了比较银浆的导电性，统一折算成长宽相等且厚度为 25.4μm 时的烧结膜层的电 2 YS/T 603—202 × 阻 R? ，单位为 mΩ/?。 注：折算方法如公式（1）所示，烧结膜层示意图如图 1 所示。 R?=(Rs·A·T）/（L·25.4） （ 1） 式中： Rs——实测烧结膜层的电阻，单位为毫欧姆（mΩ）； A——烧结膜层的宽，单位为毫米（mm）； T——烧结膜层的膜厚，单位为微米（μm）； L——烧结膜层的长，单位为毫米（mm）。 图 1 烧结膜层示意图 3.7 附着力 adhesion 银浆烧结膜层同基片的结合能力。 3.8 可焊性 solderability 在一定的焊接条件下，熔融焊料浸润银浆烧结膜层难易程度的度量。 4 分类和标记 4.1 产品分类 烧结型银导体浆料按烧结峰值温度共分为：400 ℃～600 ℃烧结银浆、 600 ℃～700 ℃（不含 600 ℃）烧结银浆、700 ℃～800 ℃（不含 700 ℃）烧结银浆、800 ℃～930 ℃（不含 800 ℃）烧结 银浆。 表 1 烧结峰值温度范围 名义烧结温度值 烧结峰值温度范围 500 400 ℃～600 ℃ 650 600 ℃～700 ℃（不含 600 ℃） 750 700 ℃～800 ℃（不含 700 ℃） 850 800 ℃～930 ℃（不含 800 ℃） 4.2 产品型号 银浆型号如下： P S—Ag— □ 示例： 烧结峰值温度。 金属相成分。用化学元素符号表示金属名称。 工艺类型。烧结型浆料用 S 表示。 贵金属浆料。用大写的英文字母 P 表示。 PS-Ag-500 表示烧结峰值温度为 400 ℃～600 ℃的烧结型银导体浆料。 3 YS/T 603—202 × 5 技术要求 5.1 性能 5.1.1 银浆的固体含量、细度、粘度应符合表 2 的规定。 表 2 银浆烧结前主要性能 银浆型号 固体含量 % 细度 μm 粘度 Pa·s 标称值 偏差范围 标称值 偏差范围 PS-Ag-500 50～90 ±1% ＜10 50～120 ±10% PS-Ag-650 35～95 ＜10 50～450 PS-Ag-750 35～95 ＜10 5～500 PS-Ag-850 35～95 ＜10 1～500 注：固体含量、粘度数值应在偏差范围内。 5.1.2 银浆烧结膜层的主要性能应符合表 3 的规定。 表 3 银浆烧结膜层主要性能 银浆型号 方阻 mΩ/□ 可焊性（可选） 附着力（可选） N/mm2 标称值 偏差范围 PS-Ag-500 ＜5 ±0.5 好 10 PS-Ag-650 ＜15 好