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2023-12-02 发布于四川
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NAND器件铜互连工艺.pdf

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本发明提供一种NAND器件铜互连工艺，提供半导体结构，在半导体结构上形成由SiN层、TEOS层、NFD层、TiN层依次自下而上堆叠的叠层；刻蚀叠层形成沟槽；沟槽在TiN层位置的宽度小于在TEOS层位置的宽度；对沟槽进行第一湿法刻蚀，以拓宽沟槽在TiN层位置的宽度；在沟槽内壁依次沉积阻挡层和种子层；在沟槽内填充金属，并进行顶部平坦化；用碱性化学清洗剂进行清洗工艺，将金属顶部氧化形成一层氧化层。本发明通过在用于填充第二金属结构的沟槽刻蚀后引入对硬掩膜有刻蚀率的湿法清洗剂，并取消铜填充后面的退火，扩大

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117153774 A (43)申请公布日 2023.12.01 (21)申请号 202311027788.0 (22)申请日 2023.08.15 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司地址

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