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模拟电子技术基础简明教程（第四版）杨素行课后习题答案第六章 第六章 计算机及固态器件1. 计算机的发展历史在20世纪40年代末和50年代初，世界上第一台真正意义上的计算机—ENIAC（电子数值积分计算机）在美国问世。20世纪50年代中后期，计算机和电子技术的发展进入了“集成电路时代”，研制出了第一台IC计算机。20世纪60年代末和70年代初，计算机开始大规模普及和应用，出现了多种类型的计算机。20世纪80年代末和90年代初，计算机的性能和功能得到了大幅提升，人们逐渐从大型的主机计算机向小型机、工作站和个人计算机转变。21世纪初以来，计算机的发展进一步加速，云计算、物联网等新兴技术的出现使计算机应用的领域和方式得到了巨大的扩展。2. 计算机的基本组成部分计算机由硬件和软件两大部分组成。硬件包括中央处理器（CPU）、内存、外部存储器、输入设备、输出设备和各种接口等。软件包括系统软件和应用软件。中央处理器是计算机的核心，负责处理和控制计算机的各种运算和操作。内存是计算机的临时存储器，用于存放计算机运行时需要的数据和程序。外部存储器用于长期存储大量的数据和程序。输入设备用于将外部信息输入计算机，输出设备用于将计算机处理结果输出到外部。接口用于连接计算机与外部设备和其他计算机之间的通信。3. 半导体器件的分类半导体器件根据用途和结构不同，可以分为二极管、晶体管和集成电路三类。二极管是一种简单的非线性电子器件，用于整流、振荡和检波等电路中。晶体管是一种具有放大作用的半导体器件，根据结构和工作原理的不同，可以分为三极管、场效应晶体管（FET）和双极性晶体管（BJT）。集成电路是将多个晶体管、二极管和其他电子元件集成在一块半导体晶片上，并进行互连的一种电子器件，分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。4. 双极性晶体管（BJT）的工作原理双极性晶体管由三层半导体材料构成，分为发射极（E）、基极（B）和集电极（C）三个区域。当向发射极施加正向电压，通过发射结的存在，大量的载流子从发射极注入到基极区域，这被称为发射极电流（IE）。当向基极施加逆向电压时，虽然中间的发射极电流减小，但流入基极的少量载流子（ICBO），通过“转换流”现象，从基极流入集电极，形成集电极电流（IC）。当向发射极施加正向电压，通过基极的电流增加，大部分由发射极流入基极的激活载流子将形成集电极电流，形成一个大功率放大。5. 场效应晶体管（FET）的工作原理场效应晶体管的结构包括源极（S）、栅极（G）和漏极（D）。当栅极与源极相连接，外加的栅极电压会在栅极和源极之间形成一个电场。栅极电场的大小将影响漏极电流的大小。当栅极和源极之间有电场时，将形成一个导电通道，使漏极电流流过。根据电场的极性和大小，场效应晶体管可以分为N沟道和P沟道两种类型。在N沟道型（N-MOSFET）中，正电压在栅极和源极之间会形成一个N型的导电通道，使漏极电流通过。在P沟道型（P-MOSFET）中，负电压在栅极和源极之间会形成一个P型的导电通道。以上是关于计算机及固态器件的一些相关参考内容。通过学习本章，我们可以了解计算机的发展历史、计算机的基本组成部分以及常见的半导体器件的分类和工作原理。这对于理解计算机技术的基本概念和原理非常重要，为我们在实际应用中对计算机和固态器件的选择和使用提供了一定的指导和参考。