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本公开提供了一种存储器装置的操作方法、存储器装置、设备及存储介质，其中，所述存储器装置的操作方法，包括：提供半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，位于所述衬底内的深N阱区，和位于所述深N阱区内的P阱区，以及位于所述P阱区中的多个晶体管结构，所述晶体管结构包括栅极，以为分别位于所述栅极两侧的源极和漏极；对所述栅极的端口施加第一电压，对所述深N阱区的端口施加第二电压，以及对所述P阱区的端口施加第三电压；其中，当执行第一操作时，所述第一电压等于0，所述第二电压为正电压，所述第三电压为负电压；当执行第二
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117198362A
(43)申请公布日2023.12.08
(21)申请号202311125480.X
(22)申请日2023.09.01
(71)申请人厦门半导体工业技
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