磁存储器件参数读取电路及电子设备.pdfVIP

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本发明涉及一种磁存储器件参数读取电路及电子设备,该读取电路包括:开关电路、第一充放电元件、第二充放电元件、第一整形电路、第二整形电路与相位检测电路,开关电路用于连接第一磁存储器件与第二磁存储器件,第一磁存储器件与第二磁存储器件的磁化状态相反,且为磁性存储阵列中的一个互补单元;开关电路用于控制第一充放电元件与第二充放电元件充电,或者通过互补单元放电;第一整形电路与第二整形电路分别用于将第一充放电元件与第二充放电元件的端电压整形为迅速变化的第一电压信号时域波形与第二电压信号时域波形,并经相位检测电路

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117198353A

(43)申请公布日2023.12.08

(21)申请号202311167560.1

(22)申请日2023.09.11

(71)申请人致真存储(北京)科技有限公司

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