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一种微结构增强硅化镁硅异质结光电探测器及其制备方法.pdfVIP

一种微结构增强硅化镁硅异质结光电探测器及其制备方法.pdf

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    本发明涉及一种微结构增强硅化镁硅异质结光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域，本发明中硅化镁/硅异质结光电探测器的制备方法为：在硅基片上刻蚀得到周期孔表面微结构；在具有微结构的硅基片局部制备金属镁薄膜；热处理使镁薄膜和硅基底反应生成硅化镁薄膜；在硅与硅化镁薄膜上制备电极形成异质结光电探测器。该制备方法通过在具有微结构的硅表面制备镁薄膜，使镁与硅在热反应前便相互融合以增大接触面，相比传统制备方法的上下渗透，缩短固相反应时间，生长高质量的硅化镁薄膜。同时，微结构可减小表面反射，增大红外吸收率

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117219700A

    (43)申请公布日2023.12.12

    (21)申请号202311113920.X

    (22)申请日2023.08.31

    (71)申请人电子科技大学

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