一种半导体外延的实现方法及半导体器件.pdfVIP

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2023-12-13 发布于四川
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一种半导体外延的实现方法及半导体器件.pdf

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本发明提供一种半导体外延的实现方法，包括：在半导体器件的栅极形成之前，刻蚀半导体衬底形成阵列排布的半导体岛状结构，且各所述半导体岛状结构至少上部之间通过至少一处连接结构相互连接，以减少后续外延工艺产生的缺陷；其中，所述刻蚀半导体衬底形成阵列排布的半导体岛状结构至少包括：对所述半导体衬底进行负角度刻蚀，形成第一沟槽；在所述第一沟槽表面形成保护介质层；继续刻蚀所述第一沟槽，形成所述半导体岛状结构和所述连接结构。本发明通过使得一次刻蚀悬梁的负角度大于像素区柱体,并且第二次深沟槽刻蚀后悬梁下面联通需要的

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117219645A

(43)申请公布日2023.12.12

(21)申请号202210621621.6

(22)申请日2022.06.02

(71)申请人格科微电子（上海）有限公司

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