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“VLSI设计基础”复与思考题
选用教材:VLSI设计基础”李伟华编著电子工业出版社2002年10月第一版
参考教材半导体集成电路”,张开华编著,东南大学出版社,1995年7月第一版。
第1章“VLS工设计基础概述”复与思考题(p.1~3)
第2章“MOS器件与工艺基础”复习思考题(p.4~9)
第3章“工艺与设计接口”复习思考题(p.10)
第4章“晶体管规则阵列设计技术”复习思考题(p.10~13)
第5章“单元库设计技术”复习思考题(p.13~17)
第6章“微处理器”复习思考题(p.17~22)
第7章“集成电路的测试”复习思考题(p.22~23)
第1章“VLS工设计基础概述”复与思考题
1.为什么CMOS(含BiCMOS)工艺成为VLSI主流工艺?其最大特点是什么?
在微电子技术领域,集成电路的制造有两个主要的实现技术:双极技术与MOS技术。
CMOS以其结构简单,集成度高,耗散功率小等优点,成为当今VLSI制造的主流技术。其
最大特点是耗散功率小。
2.双极工艺还有用武之地吗?
双极技术是以NPN与PNP晶体管为基本元件,融合其他的集成元件构造集成电路的
技术方法。双极器件以其速度高和驱动能力大,高频、低噪声等优良特性,在集成电路的设
计制造领域,尤其是模拟集成电路的设计制造领域,占有一席之地。但双极器件的耗散功
率比较大,限制了它在VLSI系统中的应用。
3.以你的体会,你认为集成电路设计师应具备哪些基本技术基础?
设计者必须具备下列的技术基础:电路与逻辑没计技术基础,器件与工艺技术基础,版
图设计技术基础和集成电路计算机辅助设计技术基础。除此之外,设计者还应具备对电路、
逻辑、器件、工艺和版图的分析能力。
4.简要说明描述集成电路技术水平5大指标的含义。大指标的含义。当前国内和
国际上集成电路产业在特征尺寸及晶园尺寸方面各达到什么水平?寸及晶园尺寸方面各达
到什么水平?1集成度是以一个IC芯片所包含的元件(晶体管或门/数)来衡量,集成度
特征尺寸特征尺寸定义为器件中最小线条宽度(对MOS器件而言,通常指器件栅电极所
决定的沟道长度的几何长度),芯片芯片面积大小,晶片直径晶片直径大小,封装引脚
数封装引脚数多少。面积封装引脚数国内:0.25μm,8英寸(20cm),国际:0.13μm,12英
寸(30cm)。5.微米级、亚微米级、深亚微米级各指什么尺寸,举例说明之。微米级、亚
微米级、深亚微米级各指什么尺寸,举例说明之。微米级(micro-M)(3μm、2μm〔1985年〕、
1.5μm、1μm〔1989年〕、)亚微米级(submicro-SM)(0.7μm、0.5μm〔1993年〕)
发展到深亚微米(deepsubmicro-DSM)(0.35μm〔1997年〕、0.25μm、0.18μm〔2001
年〕、0.13μm),超深亚微米或亚0.1μm〔2005年〕(verydeepsubmicro-VDSM)。
6.简要说明深亚微米电路设计对设计流程的影响。简要说明深亚微米电路设计对设计流程
的影响深亚微米电路设计对设计流程的影响。在深亚微米级电路设计中的一个突出矛盾是
时序问题。到了深亚微米水平,互连线的延迟将超过门延迟。要求在逻辑设计过程中引入
物理设计阶段的数据;如何把布局布线工具、寄生参数提取工具的时序分析统计工具集成
到逻辑综合中去。还有一个功耗问题必须考虑。总之是要求将前端设计和后端设计及测试
融为一体。7.为什么说嵌入式SoC的设计代表了高科技的设计方法和软硬件系统?的设
计代表了高科技的设计方法和软硬件系统?嵌入式SoC是集系统性能于一块芯片上的系
统组芯片,它通常含有一个或多个微处理器IP
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