沟槽型功率MOSFET一体化实现沟槽刻蚀的工艺方法.pdfVIP

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2023-12-20 发布于四川
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沟槽型功率MOSFET一体化实现沟槽刻蚀的工艺方法.pdf

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本发明公开了一种沟槽型功率MOSFET一体化实现沟槽刻蚀的工艺方法。该方法在同一ICP硅刻蚀机中，以光刻胶为掩膜，采用CF4气体对硬掩模层进行干法刻蚀，采用C4F8气体对硬掩膜层进行过刻蚀；氧等离子体去除光刻胶；采用CHF3气体干法去除硅外延层表面的氧化层；以硬掩模层为掩膜，采用SF6气体刻蚀外延层，形成沟槽，直至被刻蚀的外延层沟槽深度为预设值；选择湿法刻蚀机去除硬掩模层，清洗残留物。本发明减少了切换机台的排队时间与额外的暖机时间，提高生产效率，避免了切换机台时在大气中暴露而可能生成自然氧化层、

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117253787A

(43)申请公布日2023.12.19

(21)申请号202311216623.8

(22)申请日2023.09.20

(71)申请人浙江大学

地址310058

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