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一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片及其制备方法.pdfVIP

一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片及其制备方法.pdf

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    本申请提供了一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片，包括背面层状金属电极、正面层状金属电极、欧姆接触层、衬底、外延层一、外延层二、P型保护环、N型离子注入层、肖特基金属Pt层、环状钝化层以及环状聚酰亚胺膜；本申请还提供了一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片的制备方法；本申请通过采用PN结和肖特基结并联设计、双层外延生长、离子注入氮离子掺杂、使用肖特基金属Pt在大电流下产生大注入效应，降低了外延层电阻率，实现了大电流下低正向压降肖特基二极管的制作，从而克服了现有技术中选择低势垒金属和增大

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN108682695A

    (43)申请公布日

    2018.10.19

    (21)申请号20181

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