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本发明涉及磁性材料技术领域。本发明提供了一种CoFe基磁性多层膜及其制备方法。本发明的CoFe基磁性多层膜，磁性层为N掺杂的CoFe层，采用磁控溅射法沉积得到N掺杂的CoFe层，通过在溅射过程中通入氮气，进而在溅射过程中引入氮离子，通过反应溅射方式在磁性层和氧化物(即MgO层)界面产生FeNx，从而有效调控Fe‑O的轨道杂化程度，调控电子云排布，通过N和O协同调节Fe的电子配位，并结合样品溅射镀膜顺序的设计有效控制N‑Fe‑O间的电荷转移，实现薄膜在面内磁各向异性和垂直磁各向异性(PMA)之间的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117275871A
(43)申请公布日2023.12.22
(21)申请号202311319776.5
(22)申请日2023.10.11
(71)申请人季华实验室
地址528200
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