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2023-12-27 发布于四川
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一种二硒化钯晶圆级制备方法和应用.pdf

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本发明涉及的二维材料制备技术领域，尤其涉及一种二硒化钯晶圆级制备方法和应用。本发明通过流体动力学模拟管式炉内温度和气体流速，验证硒化过程中管式炉内的温度和气体流速是否均匀分布；验证硒化温度对二硒化钯薄膜合成的影响；验证前驱体厚度对二硒化钯制备的影响，比较温度和厚度对通过电子束蒸发Pd金属和后硒化合成PdSe2的质量的影响来拓宽生长参数窗口。最终制备得到高性能的二硒化钯晶圆级，并进一步将该制备方法应用与制备二硒化钯器件，构建场效应晶体管和光电探测器。可为硅工艺兼容制备圆片级高质量PdSe2二维材料

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117286458A

(43)申请公布日2023.12.26

(21)申请号202310933969.3G01D5/26(2006.01)

(22)申请日2023.07.2

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