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薄膜铌酸锂波导边缘耦合器.pdfVIP

薄膜铌酸锂波导边缘耦合器.pdf

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    本发明提出一种薄膜铌酸锂波导边缘耦合器，包括：衬底、包层以及铌酸锂波导，包层设于衬底的一表面；铌酸锂波导设于衬底与包层之间，铌酸锂波导包括依次连接的多叉型波导结构和双层波导结构，多叉型波导结构背离双层波导结构的一端形成入射端面，用于匹配标准单模光纤模场，双层波导结构背离多叉型波导结构的一端形成出射端面。本申请的技术方案，能够提供一种耦合损耗小、耦合效率高的边缘耦合器。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117310877A

    (43)申请公布日2023.12.29

    (21)申请号202311138916.9

    (22)申请日2023.09.04

    (71)申请人鹏城实验室

    地址518000

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