GB/T 1551-2021硅单晶电阻率的测定　直排四探针法和直流两探针法.pdf

ICS77.040

CCSH21

道B

中华人民共和国国家标准

GB/T1551-2021

代替GB/T1551-2009

硅单晶电阻率的测定

直排四探针法和直流两探针法

Testmethodformeasuringresistivityofmonocrystalsilicon一

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2021-05-21发布2021-12-01实施

国家市场监督管理总局岱舍

国家标准化管理委员会也叩

GB/T1551-2021

目U吕

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件代替GB/T1551-2009《硅单品也阻率ij!IJ运方法机与GB/T1551-2009相比，除结构调整

和l编辑性改动外，主要技术变化如下：

a)更改γ直排四探针法的适用？在~I＜见第1章，2009年版的第1i吉）；

b)“范围”中附加了“硅单晶其他范围电阻率的测试口J参照本文件迸行”（见第1章）；

c)增加了规范性引用文件GB/T14264（见第2举）；

d)增加了“术语和定义”（见第3章〉；

e)更改了j~IJi式环境温度的要求（见第4草，2009年版的第2章、第13章）；

[)更改了··干扰网素”中光照对测试结果的影响（见5.1,2009年版的3.1、14.l);

g)增加了少数载流子注入对测试结果具体影响的干扰因素（见5.3);

h)更改了“干扰因素”中温度对测试结梨的影响（见5.4.,2009年版的3.4、14.l):

i)增加了探针振动、探针头类型对测试结果影响的干扰困京（见5.5、5.6);

j)增加了直排四探针法测试时样品发热、探针与样品接触的位置对测试结果影响的干扰网索〔见

5.7a）、5.7c)];

k)增加了直流两探针法测试时样品电阻率不均匀、存在轻微裂痕或其他机械损伤、导电类型不唯

一页，f测试结果影响的干扰因素（见5.8);

I)删除了直流两探针法测试干扰肉萦中探针间距的内容（见2009年版的14.6);

m）更改了直排四探针法的测试原理（见6.1.2009年版的第4.i支）；

n)增加了自：排四探针法中“试剂和材料”（见6.2):

o)更改了直排四探针法巾对针尖形状和初始标称半径的要求［见6.3.la).2009年版的5.1.1];

p)更改了直排四探针法中标准电！吼的要求［!Jl6.3.2c）、2009年版的5.2A];

4)更改了直排四探针法中散热器的要求〈见6.3.4,2009年版的5.4);

r)史．改了在排四探ti·法中制样装5号，的安；求＜!Jl6.3.5,2009年版的5.5);

s)更改了:w:李11:1J4探针法，中厚度测试仪的要求（见6.3.6,2009年版的5.6);

t)删除了直悻四探针法中超07.