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模拟电子技术基础(张学亮);第一章;1.1PN结;在本征半导体中存在着两种载流子参与导电:带负电的自由电子和带正电的空穴,它们是成对产生的,故它们的浓度是相等的。;2.杂质半导体;(2)P型(空穴型)半导体;在杂质半导体中,多子浓度主要取决于杂质的浓度;少子的浓度主要与本征激发有关,温度或者光照对它影响很大。;3.PN结的形成;(3)少子的漂移运动;若PN结外加反向电压UR(指P区接低电位,N区接高电位)称为反向偏置,简称反偏。;1.2半导体二极管;二极管的种类很多,按制造材料分,常用的有锗二极管、硅二极管和砷化镓二极管;
按用途分,有整流二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管和普通二极管;
按结构、工艺分,常见的有点接触型、面接触型等。;锗管由于反向饱和电流大,对温度敏感,使用场合较少;
硅管具有低成本、较小的反向饱和电流、较好的温度特性和击穿电压水平,广泛应用于电子设备中;
砷化镓具有高击穿电压、良好的温度特性和低反向饱和电路,已广泛应用于光电领域、高速特性场合和超大规模集成电路中。;PN结产生电击穿的原因是在强电场作用下,大大增加了自由电子和空穴的数目,引起反向电流急剧增大。这种现象是由雪崩击穿和齐纳击穿两种原因产生的。;(3)温度对二极管特性的影响;3..半导体二极管的电路模型;(4)二极管的小信号模型;1.3二极管的应用;选择二极管时应留有一定的裕量,二极管的额定电流大于2ID;
二极管的最高反向电压大于2UDRM。;(3)滤波电路;滤波电容C的大小取决于放电回路的时间常数,RLC越大,输出电压脉动就越小,通常取RLC为脉动电压中最低次谐波周期的3~5倍。;2.整流组合管;(2)限幅电路;(3)倍压整流电路;1.4其他特殊二极管;稳压管的主要参数如下;稳压管VDZ1的稳定电压UZ1=6V,VDZ2的稳定电压UZ2=8V,试问串联起来可以构成几种稳压值。;2.变容二极管;3.光电二极管和发光二极管;当所施加正向电压UF未达到开启电压时,正向电流几乎为零,但电压一旦超过开启电压时,电流急剧上升。;颜色;单元任务1直流稳压电源制作;(2)单相桥式半波整流电路;单元任务1.2二极管的识别检测及伏安关系特性测试;(2)二极管的伏安特性验证;单元任务1.3单相桥式整流电容滤波电路的制作;1.3.2单向桥式整流电容滤波电路的测试;UO波形;单元任务1.4稳压二极管构成的稳压电源制作;单元小结;二极管的伏安特性是非线性的,所以它是非线性器件。为分析计算电路方便,在特定条件下,常把二极管的非线性伏安特性进行分段线性化处理,从而得到几种简化的模型,如理想模型、恒压降模型和小信号模型。在实际应用中,应根据工作条件选择适当的模型。对二极管伏安特性曲线中不同区段的利用,可以构成各种不同的应用电路。组成各种应用电路时,关键是外电路(包括外电源、电阻等元件)必须为器件的应用提供必要的工作条件和安全保证。
整流电路是将交流电变换为单向脉动直流电的电路。单相桥式整流电路的直流输出电压较高,输出波形的脉动较小,变压器利用率较高,因此应用比较广泛,常用作小功率直流电源。为了滤去整流后输出中的交流分量,通常在整流电路后接滤波电路。常用有电容滤波、电感滤波及复式滤波电路,电容滤波适用于负载电流小的场合,电感滤波适用于负载电流大的场合,在使用中常使用复式滤波。也可构成钳位、门电路和限幅等应用电路。
稳压二极管作为一种特殊二极管,利用其反向击穿特性,工作在反向击穿区。要选取合适的限流电阻,稳压二极管的正向特性与普通二极管相近。变容二极管和光电二极管必须工作在反向偏置,发光二极管和激光二极管必须正向偏置,且发光二极管必须接入限流电阻。;放大电路基础;2.1三极管;有3个区,分别称为发射区、基区和集电区。;2.三极管的电流分配与放大原理;三种不同的组态;①发射区向基区注入电子的情况。;(3)三极管的电流分配关系;3.三极管的特性曲线;(2)共发射极输出特性曲线;4.三极管的主要参数;2.2共射极放大电路;2.共发射极电路的静态分析;(2)用图解法求解静态工作点;3.共射极基本放大电路的动态分析——图解法;根据ui波形在输入特性曲线上求iB波形;4.三极管的3个工作区域及放大电路的非线性失真;【例2-4】电路如图2-16所示,设三极管的β=80,UBE=0.7V,ICEO、UCES(UCES为临界饱和时,集电极和发射极之间的饱和压降)可以忽略不计,试分析当开关S分别接通A、B、C三个位置时,三极管各工作在其输出特性曲线的哪个区域,并求出相应的集电极电流IC。;(2)放大电路的非线性失
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