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模电期末汇总

1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5，导通后在较大电流下的正向压降约为

0.7；锗二极管的门槛电压约为_0.1_，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_。

二.二极管正向电阻小；高反向电阻。

3、二极管的最主要特性是单向导电性。ｐｎ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移

电流，耗尽层变窄。

4.二极管最重要的电气特性是单向导电性。使用齐纳二极管时，齐纳二极管与负载并

联，并且必须在齐纳二极管和输入电源之间添加电阻。

5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变

化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。

6.当PN结反向偏置时，PN结的内部电场增加。PN具有单向导电性。

7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其

门坎电压vth约为0.5伏。8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散

运动形成。

9.P型半导体有空穴，n型半导体有自由电子，本征半导体有电子-空穴对。

10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（p）半导体和电子（n）半导体两大

类。

11.二极管最重要的特性是单向导电性。它的两个主要参数是反映正向特性的最大整

流电流和反映反向特性的反向击穿电压。

12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5，导通后在较大电流下的正向压降约为

0.7。

13.频率响应是指输入正弦信号时，输出随频率持续变化的稳态响应。

15、n型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。

16.根据三极管在一个周期内的导通角，功率放大电路可分为三种基本类型：a类、B

类和a、B类。

17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频

信号放大的是结电容。

18.在由NPN三极管组成的基本公共发射放大器电路中，如果电路的其他参数保持不

变，则β随的增加而增大，IBQ增大，ICQ增大，uceq减小。

19、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。集成运算放大器是一种采用直接耦

合方式的放大电路。20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压

va=1.2v，vb=0.5v,vc=3.6v,试问该三极管是硅管管（材料），npn型的三极管，该管的集

电极是a、b、c中的c。21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60db

和20db,则该放大电路总的对数增益为80db，总的电压放大倍数为10000。

22.三极管实现放大的外部条件是：发射结的正偏压和集电极结的反偏压。对于放大

器电路中的三极管，测得的管脚电压Va=-1V，VB=-3.2V，VC=-3.9v。这是一个NPN型硅管

（硅和锗），集电极引脚是a。

23、三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容（rc）耦合、直接耦合和_变压器耦

合_，其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。

24.在多级放大电路中，后一级的输入电阻是前一级的负载，前一级的输出电阻可视

为后一级信号源的内阻

阻。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。

25.当负载开路时，放大器电路的输出电压为4V，在负载电阻后连接到12KΩ，输出

电压下降到3V，表明放大电路的输出电阻为4KΩ

26、为了保证三极管工作在放大区，要求：

①发射结正向偏置，集电极结反向偏置。②对于NPN三极管，VBC应小于0。

27、放大器级间耦合方式主要有阻容（rc）耦合、直接耦合和变压器耦合三大类。

28.在由三极管组成的三种不同的放大电路配置中，共发射极和共基极配置具有电压

放大功能，共发射极配置具有电流放大功能，共发射极和共集电极配置具有相位反转功能；

公共集配置具有较强的负载能力，公共集配置从信号源所需的电流较小，公共基配置的频

率较低

响应好。29、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。30、多级放大器

各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合，阻容耦合，变压器耦合。

31.在单级公共发射放大器电路中，如果输入为正弦波形，则用示波器观察

0

如果观察到VO和VI的波形，VO和VI之间的相位差为180；当它是一个公共集电极

电路时，VO和VI之间的相