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量测图形及其制备方法、量测方法、装置、设备及介质.pdfVIP

量测图形及其制备方法、量测方法、装置、设备及介质.pdf

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    本公开涉及一种半导体量测精度监测方法、装置、设备及介质，量测图形包括目标层及位于目标层上不同区域的第一量测标记图形、第二量测标记图形、若干个第一辅助标记图形及若干个第二辅助标记图形；第一量测标记图形包括多个阵列分布的第一标记单元，第一标记单元具有包括第一预设刻蚀偏移量的第一预设参数；第二量测标记图形包括多个阵列分布的第二标记单元，第二标记单元具有包括第二预设刻蚀偏移量的第二预设参数。本公开实施例至少能够快速精准地量测执行多次刻蚀制程后获取半导体结构因单一刻蚀制程导致的刻蚀偏移量。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117369215A

    (43)申请公布日2024.01.09

    (21)申请号202210761136.9

    (22)申请日2022.06.30

    (71)申请人长鑫存储技术有限公司

    地址23

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