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一种晶体的长晶方法包括以下步骤。提供第一籽晶,所述第一籽晶具有第一单晶比例以及第一尺寸。对第一籽晶进行N次的长晶制程,其中每一次长晶制程会使第一单晶比例增加,且是进行N次的长晶制程直至形成具有单晶比例为100%的第二晶体,其中N次为大于3次的长晶制程。每一次的长晶制程包括调整晶体的轴向温梯(△Tz)与径向温梯(△Tx)的比例差(△Tz/△Tx),以控制比例差在0.5至3的范围内来形成第二晶体。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117364245A
(43)申请公布日2024.01.09
(21)申请号202310794121.7
(22)申请日2023.06.30
(30)优先权数据
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