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半导体装置及其形成方法.pdfVIP

半导体装置及其形成方法.pdf

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    一种形成半导体装置的方法，包含形成光感区域于基材的前侧上。形成第一层于基材的后侧且第一层被图案化以形成多个网格线。网格线可定义出多个第一区域和多个第二区域。第二层可形成于后侧、网格线、第一区域和第二区域的暴露部分上，且第三层形成于第二层上。第二层和第三层可具有不同的蚀刻速率，且第三层被图案化，从而可由多个第一区域上方除去第三层。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN111627943A

    (43)申请公布日

    2020.09.04

    (21)申请号20201

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