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提供一种碳化硅晶体的生长方法。所述生长方法包括以下的步骤。提供包含碳元素以及硅元素的原料以及位于原料上方的籽晶于反应器内。进行碳化硅晶体的生长制程，其中生长制程包括加热反应器以及原料，以形成碳化硅晶体于籽晶上。在生长制程中是调整碳化硅晶体的轴向温梯(△Tz)与径向温梯(△Tx)的比例差(△Tz/△Tx)，以控制所述比例差在0.5至3的范围内来形成所述碳化硅晶体。通过上述生长方法所形成的碳化硅晶体能够具有均匀的电阻率分布以及优良的几何表现。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117364246A
(43)申请公布日2024.01.09
(21)申请号202310797978.4
(22)申请日2023.06.30
(30)优先权数据
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