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mos器件大电流kirk效应
Kirk效应，即翘曲效应（Kinkeffect），对于一个优化过的RESURFPLEDMOS来说，在关态漏端加能够承受的最高电压时，漂移区完全耗尽，漂移区两端的两个峰值电场大小相同。开启态栅加较高电压时，大量的空穴从漏经漂移区流到源，漂移区是p型掺杂，完全耗尽后剩下n型空间电荷，从整体上看，流过漂移区的这些空穴降低了空间电荷的浓度，也就是相当于降低了漂移区的掺杂浓度。
漂移区空间电荷浓度低于最优的掺杂浓度，会使漂移区的等压线挤向漏区，导致漏端电场强度升高。这种现象称之为Kirk效应。
对于本文设计的PDP驱动芯片专用的RESURFPLEDMOS，开启态栅接高压电源，栅的高压导致沟道的更强反型和更高的源漏电流，因此Kirk效应将更加明显。
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