模拟电子技术基础(第三版)期末复习资料.docVIP

第一章半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6.杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7.PN结

*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8.PN结的伏安特性

二.半导体二极管

*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.7V，锗管0.2V。

*开启电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

分析方法----------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:

若V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路或压降0.7V);

若V阳V阴(反偏)，二极管截止(开路)。

稳压二极管及其稳压电路

*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章三极管及其基本放大电路

一.三极管的结构、类型及特点

1.类型---分为NPN和PNP两种。

2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触

面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。

二.三极管的工作原理

1.三极管的三种基本组态

2.三极管内各极电流的分配

*共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件)

其中ICEO是穿透电流（越小越好），ICBO是集电极反向电流。

3.共射电路的特性曲线

*输入特性曲线---同二极管。

*输出特性曲线

(饱和管压降，用UCES表示)

放大区---发射结正偏，集电结反偏。

饱和区---发射结正偏，集电结正偏

截止区---发射结反偏，集电结反偏。

根据电位如何判断管子是否处于放大状态：

对NPN管而言，放大时VC＞VB＞VE

对PNP管而言，放大时VC＜VB＜VE

4.温度影响

温度升高，输入特性曲线向左移动。

温度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。

5.三极管的极限参数

ICM最大集电极电流

PCM最大的集电极耗散功率

U（BR）CEOC-E间的击穿电压

三.低频小信号等效模型

hie---输出端交流短路时的输入电阻，

常用rbe表示；

hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比，

常用β表示；

微变等效模型用于分析晶体管在小信号输入时的

动态情况，不能用于静态分析。

四.基本放大电路组成及其原则

1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。

2.组成原则----能放大、不失真、能传输。

五.放大电路的图解分析法

1.直流通路与静态分析

*概念---直流电流通的回路。

*画法---电容视为开路。

*作用---确定静态工作点

*直流负载线---由确定的直线。

*电路参数对静态工作点的影响

交流负载线

交流负载线

1）改变Rc：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。

2）改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。

2.交流通路与动态分析

*概念---交流电流流通的回路

*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。

*作用---分析信号被放大的过程。

*交流负载线---连接Q点和VCC’点VCC’=UCEQ+ICQRL’的直线。

3.静态工作点与非线性失真

（1）截止失真

*产生原因---Q点设置过低

*失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。

*消除方法---提高Q。

（2）饱和失真

*产生原因---Q点设置过高

*失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。

*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC，降低Q点。

六.阻容耦合共射放大电路的等效电路法

静态分析

2.放大电路的动态分析

*放大倍数

*输入电阻

*输出电阻

稳定工作点共射放大电路的等效电路法

1．静态分析

2．动态分析

*有旁路电容

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