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本发明公开了一种半导体装置及其形成方法，半导体装置包括：一衬底；一第一氮化物半导体层，其设置于所述衬底上且具有对所述衬底倾斜的一第一斜面；一第二氮化物半导体层，其设置于所述第一氮化物半导体层上且具有对所述衬底倾斜的一第二斜面，所述第二氮化物半导体层的一带隙大于所述第一氮化物半导体层的一带隙；一第一电极，其设置在所述第一氮化物半导体层上且接触所述第一斜面及所述第二斜面；其中,所述第一斜面具有一第一凹部且所述第二斜面具有一第二凹部108C。根据本发明实施例的半导体装置，通过在第一斜面上设置第一凹部且
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117410331A
(43)申请公布日2024.01.16
(21)申请号202311350633.0
(22)申请日2023.10.18
(71)申请人英诺赛科（苏州）半导体有限公司
地
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