一种四元合金掺杂类金刚石薄膜及其制备方法.pdfVIP

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2024-01-17 发布于四川
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一种四元合金掺杂类金刚石薄膜及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种四元合金掺杂类金刚石薄膜及其制备方法，属于高熵碳化物薄膜技术领域，该薄膜以HfMoNbZr四元合金靶经高功率脉冲磁控溅射和碳靶经直流磁控溅射以硅片作为基体共同沉积获得，薄膜中各元素原子百分比含量为Hf3.55~9.46%、Mo3.70~12.08%、Nb3.19~11.63%、Zr3.12~11.66%和C55.17~86.44%。该薄膜具有面心立方结构(FCC)，并且断口形貌表现为致密结构。本发明试错成本低，工艺简单，可用于大批量生产，并且可有效提高薄膜的硬度，制备而成

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117403198A

(43)申请公布日2024.01.16

(21)申请号202311335265.2

(22)申请日2023.10.16

(71)申请人贵州大学

地址550025

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