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本发明涉及半导体刻蚀材料技术领域，提供了一种制备碳化硅陶瓷材料的方法、应用及碳化硅陶瓷材料，所述制备碳化硅陶瓷材料的方法包括：提供一基底，将所述基底置于化学气相沉积设备，进行抽真空，然后通入惰性气体并加热；将反应气体和氮源气体通入化学气相沉积设备中，所述反应气体包括碳硅烷烃和还原性气体；设置沉积的工艺参数：沉积温度为1100℃‑1800℃，沉积压力为8000Pa‑90,000Pa，调节碳硅烷烃和还原性气体的流量比为1:(1‑70)；化学气相沉积完成后，停止通入反应气体及氮源气体。该制备方法制得的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117401979A
(43)申请公布日2024.01.16
(21)申请号202311451516.3
(22)申请日2023.11.02
(71)申请人湖南德智新材料有限公司
地址4
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