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本申请提供了一种形成沟槽的方法、半导体器件的制造方法及工艺设备，该方法包括：在半导体衬底的表面上形成掩膜层；掩膜开口暴露半导体衬底的第一部分的部分表面和第二部分的部分表面，第一部分与第二部分材料不同；交替循环执行改性层生成步骤和改性层刻蚀步骤以形成沟槽；改性层生成步骤用于在第一部分暴露出的表面生成第一改性层及在第二部分暴露出的表面生成第二改性层，改性层刻蚀步骤用于沿掩膜开口刻蚀沟槽底部的第一改性层和第二改性层，并保留沟槽侧壁的第一改性层和第二改性层；第一改性层与第二改性层的刻蚀速率差异小于第一部
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117410176A
(43)申请公布日2024.01.16
(21)申请号202311451354.3
(22)申请日2023.11.02
(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司
地
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