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《模拟电子技术》;绪论

半导体器件

放大电路基础

放大电路的频率响应

功率放大电路

集成运算放大电路

放大电路中的反馈

信号运算电路

信号处理电路;一、电子信号的分类;2.数字信号和数字电路;第一章半导体器件;3.半导体电阻率;一、半导体的导电特性;二、本征半导体;2.载流子;本征激发

由于热运动而使价电子挣脱共价键的束缚，从而产生载流子的

这一现象称为本征激发。;复合

与本征激发相反的是，由于电子与其他粒子碰撞时可能失去动

能并陷入空穴中，使得电子和空穴成对地消失，这种现象称为复合。;三、杂质半导体;2.P型半导体;Ⅰ.在杂质半导体中，多子的浓度取决于掺入的杂质浓度；而少子的浓度取决于温度。;四、PN结;2.PN结;3.PN结的形成过程;Ⅱ.空间电荷区的形成;Ⅲ.内电场的形成;内电场的存在有利于交界面两??少数载流子的漂移运动，产生漂移电流IP，方向。;4.PN结的单向导电性;;在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流IS。但是它对温度十分敏感，随着温度升高，IS将急剧增大。;§1·2半导体二极管;二、二极管的类型;3.按用途分

有整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、变容二极管等。;型号

2A（N型Ge管）P（普通管）数字序号规格号

B（P型Ge管）Z（整流管）

C（N型Si管）W（稳压管）

D（P型Si管）K（开关管）;二、二极管的V-I特性;二极管方程;1.正向特性;2.反向特性;反向击穿类型;*三、二极管的电容效应;当二极管正偏时，势垒电容放电；当二极管反偏时，势垒电容充电。;2.扩散电容CD;由于势垒电容和扩散电容的充放电电流在外电路中是相互叠加的，因此二极管的结电容（总电容）等于两者的并联。;四、二极管的主要参数;5.二极管的电阻;Ⅱ.交流电阻rD;五、二极管电路的分析方法;Ⅱ.恒压降模型;Ⅲ.折线模型;2.二极管电路分析;例1.2.2：电路如下图所示，求电源VDD=10V和1V时，二极管电压vD和电流iD（应用理想模型、恒压降模型和折线模型）。设折线模型中rD=0.2K?。;2.恒压降模型;练习1：电路如下图所示，硅二极管，R=2k?，分别用二极管理想模型和恒压降模型求出VDD=2V和VDD=10V时IO和UO的值。;例1.2.3：一限幅电路如下图所示，理想二极管，，求输出波形。;例1.2.4：一限幅电路如下图所示，R=1k?，VREF=3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当时，求输出波形。;练习2：试求下图所示电路中电流I1、I2、IO和输出电压UO的值。;例1.2.5：一开关电路如下图所示，求vI1和vI2为低电压0V和高电压5V的不同组合时的vo值（二极管为理想模型）。;练习3：一开关电路如下图所示，设D1、D2均为理想二极管，当输入电压UA、UB为低电压0V和高电压5V的不同组合时，求输出电压UO的值。;例1.2.6：半波整流电路;六、特殊的二极管;符号;主要参数;Ⅲ.动态电阻rZ;Ⅴ.稳定电压温度系数CTV;简单稳压电路;使用稳压管时的注意事项;;例1.2.9：一稳压电路如图所示，汽车上的供电电源VI在12～13.6V之间波动，负载为一移动式9V的半导体收音机，最大功耗0.5W。试选用合适的稳压管（IZmax、IZmin、VZ、PZM）。;空载

;2.变容二极管;3.肖特基二极管;4.光电二极管;5.发光二极管（LED）;6.激光二极管;§1·3半导体三极管;T;二、三极管的类型;型号

A（N型Ge管）X（低频小功率管）数字序号规格号

B（P型Ge管）Z（整流管）

3C（N型Si管）W（稳压管）

D（P型Si管）