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本发明涉及半导体材料领域,具体是一种砷化镓多晶的金相腐蚀液及其金相腐蚀方法。本发明提供的砷化镓多晶的金相腐蚀液,其包括:氨水、双氧水和水;所述氨水的质量浓度为25wt%~28wt%;所述双氧水的质量浓度为20wt%~30wt%;所述氨水、双氧水和水的体积比为2:1:(1~2)。本发明提供的砷化镓多晶的金相腐蚀液由氨水、双氧水和水混合得到,能够腐蚀砷化镓多晶,能够从显微镜中观察到砷化镓多晶的金相结构,并看到明显的晶界和组织晶粒,测出晶粒的尺寸和晶粒度,从而判断材料的均匀性和质量好坏,从而对制备的材
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117447999A
(43)申请公布日2024.01.26
(21)申请号202311441242.X
(22)申请日2023.11.01
(71)申请人广东先导微电子科技有限公司
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