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本发明公开了一种超结IGBT器件，位于有源区中的结构包括：平面栅结构，形成在各第一导电类型柱的顶部，平面栅结构呈整体结构；第二阱区，由以平面栅结构为自对准条件的第二导电类型的离子注入区经过退火处理后组成；第二阱区在退火处理的作用下横向扩散到平面栅结构的底部区域；沟道区由被平面栅结构覆盖第二阱区组成，第二阱区和平面栅结构之间的自对准结构用于提高器件的一致性。超结结构形成于第一外延层中，第二导电类型中由填充于超结沟槽中的第二外延层组成，第一外延层的底部区域具有掺杂浓度大于顶部区域的第一外延子层，超结
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117476755A
(43)申请公布日2024.01.30
(21)申请号202311281116.2
(22)申请日2023.09.28
(71)申请人上海鼎阳通半导体
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