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一种包括具有存储器单元串的存储器阵列的集成电路包括个别地包括具有交错绝缘阶层及导电阶层的第一竖直堆叠的横向间隔存储器块。存储器单元串包括延伸穿过所述绝缘阶层及所述导电阶层的沟道材料串。所述导电阶层个别地包括水平伸长导电线。第二竖直堆叠位于所述第一竖直堆叠旁边。所述第二竖直堆叠包括上部及下部。所述上部包括相对于彼此为不同组合物的竖直交错第一阶层及第二绝缘阶层。所述下部包括上含多晶硅层、下含多晶硅层、竖直介于所述上与下含多晶硅层之间的中介材料层。上中间层竖直介于所述上含多晶硅层与所述中介材料层之间。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117501825A
(43)申请公布日2024.02.02
(21)申请号202280042428.5(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限
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