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一种二维快离子导体FePS3光电阴极的制备方法及其应用.pdfVIP

一种二维快离子导体FePS3光电阴极的制备方法及其应用.pdf

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    本发明公开了一种二维快离子导体FePS3光电阴极的制备方法及其应用，包括以下步骤：1)在硅片表面形成PN型硅纳米阵列；2)对步骤1)所得硅片进行预处理，再在硅片表面预定区域内均匀涂抹导电银漆，然后进行干燥，再将催化剂FePS3溶液旋涂于涂覆有导电银漆的硅片上，再进行干燥，得到二维快离子导体FePS3光电阴极，该方法及其应用制备得到的光电阴极具有高活性及高法拉效率，能够应用于光电催化合成氨体系中。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117512643A

    (43)申请公布日2024.02.06

    (21)申请号202311667455.4

    (22)申请日2023.12.06

    (71)申请人西安

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