电工学课件：半导体三极管.ppt

【例2】测得放大电路中三极管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。12V3V3.7V0V5.3V5V解题思路(1)三极管处于放大状态(3)确定三个电极(2)确定三极管为硅管还是锗管(4)确定为何种类型12V3V3.7V0V5.3V5VNPN型硅管PNP型锗管BECBEC7.3.5主要参数直流电流放大倍数交流电流放大倍数1.电流放大倍数和**上次课复习1、二极管具有单向导电性。理想二极管：导通管压降为0；非理想二极管：（硅管）导通管压降为0.7V（锗管）导通管压降为0.3V2、稳压管的稳压条件。7.3半导体三极管7.3.1三极管的基本结构一.分类硅管按材料锗管按内部结构NPN型PNP型BECNNP基极发射极集电极NPN型集电极基极发射极PNPBCEPNP型基区：较薄，掺杂浓度低集电区：集电结面积较大发射区：掺杂浓度较高二.基本结构以NPN型三极管为例BECNNP基极发射极集电极发射结集电结BECNNP基极发射极集电极三.图形符号BECNPN型三极管VTBECPNP型三极管VT7.3.2三极管的工作原理三极管有放大、饱和、截止三种工作状态。一.放大状态发射结正偏，集电结反偏。对NPN管，UC＞UB＞UE且UBE=0.7V1.实验研究ICmA?ARBIBECEBRCmAIE实验线路BCE●结论：IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.701.502.303.101.542.363.180.720.0010.001实验结果△IB很小，△IC很大，即为三极管的电流放大作用。直流电流放大倍数2)交流电流放大倍数进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB，多数扩散到集电结。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。2.理论解释BECNNPEBRBEcRCIEIBBECNNPEBRBEcRCIEIBIC集电结反向偏置，从基区扩散来的电子漂移进入集电结而被收集，形成IC。BECNNPEBRBEcRCIEIBIC二.饱和状态发射结正偏，集电结也正偏。管压降相当于“开关”闭合对NPN管电极电压关系：UC＜UB＞UE三.截止状态发射结反偏，集电结反偏。相当于“开关”断开7.3.3特性曲线实验线路ICmA?AVVUCEUBERBIBECEBRC死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V。IB(?A)UBE(V)204060800.40.8UCE?1V管压降：硅管UBE?0.6~0.8V,锗UBE?0.2~0.3V。1.输入特性曲线2.输出特性曲线IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A(1)放大区发射结正向偏置，集电结反向偏置。又称恒流区IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A(2)饱和区发射结正向偏置，集电结正向偏置。管压降相当于“开关”闭合IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A(3)截止区发射结反向偏置，集电结反向偏置。相当于“开关”断开IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A7.3.4三极管工作状态及类型的判断方法放大区：UBE≥0.7V，UBC＜0V对于NPN型硅管一.工作状态的判断方法饱和区：UBE≥0.7V，UBC＞0V截止区：UBE≤0V，UBC＜0VUC＞UB＞UE，UBE=0.7V，发射结正偏，集电结反偏UC＜UB＞UE，UBE=0.7V，发射结和集电结都正偏UC＞UB＜UE，发射结和集电结都反偏对于PNP型锗管放大区：UEB≥0.3V，UCB＜0V饱和区：UEB≥0.3