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2024-02-10 发布于四川
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一种硅通孔转接板结构及其制备方法.pdf

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本发明涉及集成电路封装技术领域，公开了一种硅通孔转接板结构及其制备方法，包括：第一基板包括相对的第一表面和第二表面，第一表面上形成第一凹槽，第二基板设置在第二表面上；导电连接结构包括设置在第一凹槽的下方的第一导电连接体，第一导电连接体包括对应设置的第一导电件和第二导电件，第一导电件位于第一基板内，第二导电件位于第二基板内；线圈围合形成于第一表面的边缘；微流道结构位于线圈所围合的区域下方，适于通入包括磁流体的冷却液；微流道结构包括横向微流道和若干纵向微流道，横向微流道形成于第二基板且具有进液口和出

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117542808A

(43)申请公布日2024.02.09

(21)申请号202311561512.0B81C1/00(2006.01)

(22)申请日2023.11.2

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