电力电子技术试题20套及答案.docx

考试试卷(1)卷

一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）

1、电子技术包括 和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在 状态。当器件的工作频率较高时，

损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为 ，当它为常数时的调制方式称为

调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为 调制。

4、面积等效原理指的是， 相等而 不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是 ，单管输出功率最大的是 ，应用最为广泛的是 。

6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为 ；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为 ；

t2~t3时间段内，电流的通路为 ；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为 ；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为 ；

二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）

A、V1与V4导通，V2

A、V1与V4导通，V2与V3关断

B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断

C、V1与V4关断，V2与V3导通

D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（

）

A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶

闸管的导通角小于180度

B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作

C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180

度

D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度

3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（ ）晶闸管导通。

A、1个 B、2个 C、3个 D、4个

4、对于单相交交变频电路如下图，在t1~t2时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（ ）

A、P组阻断，N组整流 B、P组阻断，N组逆变

C、N组阻断，P组整流 D、N组阻断，P组逆变

5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（ ）

A、30°～150 B、0°～120° C、15°～125° D、0°～150°

6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是（ ）

A、加快功率晶体管的开通 B、延缓功率晶体管的关断

C、加深功率晶体管的饱和深度 D、保护器件7、直流斩波电路是一种（ ）变换电路。

A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC

8、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（ ）

A、du/dt抑制电路 B、抗饱和电路 C、di/dt抑制电路 D、吸收电路9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ ）

A、减小至维持电流以下 B、减小至擎住电流以下

C、减小至门极触发电流以下 D、减小至5A以下10、IGBT是一个复合型的器件，它是（ ）

A、GTR驱动的MOSFET B、MOSFET驱动的GTR

C、MOSFET驱动的晶闸管 D、MOSFET驱动的GTO

三、简答题（共3小题，22分）

1、简述晶闸管导通的条件与关断条件。（7分）

2、电压型逆变电路的主要特点是什么？（8分）

3、简述实现有源逆变的基本条件，并指出至少两种引起有源逆变失败的原因（7分）

四、作图题（共2小题，每题12分，共24分）

1、三相全控桥，阻感负载，主回路整流变压器的接法是D,y5，采用NPN管的锯齿波触发器，要求在整流与逆变状态运行。同步变压器二侧电压经R-C滤波器滤波后

晶闸管主电路电压VT1+UuVT2-UwVT3+UvVT4

晶闸管

主电路电压

VT1

+Uu

VT2

-Uw

VT3

+Uv

VT4

-Uu

VT5

+Uw

VT6

-Uv

同步电压

2、电路与波形如图所示。（1）若在t1时刻合上K，在t2时刻断开K，画出负载电阻R上的电压波形；（2）若在t1