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本申请涉及一种半导体结构的制作方法及其结构，包括：提供衬底，衬底内形成有多个间隔排列的浅沟槽隔离结构，且浅沟槽隔离结构的顶面与衬底的第一表面齐平；于衬底的第二表面上形成保护层；于衬底和保护层内形成多个与浅沟槽隔离结构相对应的隔离结构；隔离结构外凸于保护层，且外凸于保护层的部分隔离结构为复合格栅，位于保护层及衬底内的部分隔离结构为深沟槽隔离结构；去除保护层以及部分衬底，以露出各深沟槽隔离结构；于各深沟槽隔离结构之间的衬底上形成多层功能层，各多层功能层的材料不同；其中，复合格栅外凸于多层功能层。本申
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117577658A
(43)申请公布日2024.02.20
(21)申请号202410052033.4
(22)申请日2024.01.15
(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司
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