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HF30P04D
-40VP-ChannelEnhancementModeMOSFET
GeneralDescription
TheHF30P04DusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgate
chargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBattery
protectionorinotherSwitchingapplication.
FeatureApplication
VDS-40VID-30ABatteryprotection
s
RDS(ON)32mΩ@VGS-10VType26mΩ
(:)Loadswitch
Uninterruptiblepowersupply
TypicalApplicationCircuit
HF30P04DTypicalApplicationCircuit
AbsoluteMaximumRatings(TC25℃unlessotherwisenoted)
SymbolParameterRatingUnit
VDSDrain-SourceVoltage-40V
VGSGate-SourceVoltage±20V
ID@Tc25℃ContinuousDrainCurrent-VGS@-10V1-30A
ID@Tc100℃ContinuousDrainCurrent-VGS@-10V1-21A
IDMPulsedDrainCurrent-90A
ESASinglePulseAvalancheEnergy109mJ
IASAvalancheCurrent-30A
PD@Tc25℃PowerDissipation35W
TSTGOperatingandStorageTemperatureRange-55to150℃
TJOperatingandStorageTemperatureRange-55to150℃
RθJATherm
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