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HF20P04D
-40VP-ChannelEnhancementModeMOSFET
GeneralDescription
TheHF20P04DusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgate
chargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBattery
protectionorinotherSwitchingapplication.
FeatureApplication
VDS-40VID-20ABatteryprotection
s
RDS(ON)40mΩ@VGS-10VType30mΩ
(:)Loadswitch
Uninterruptiblepowersupply
TypicalApplicationCircuit
HF20P04DTypicalApplicationCircuit
AbsoluteMaximumRatings(TC25℃unlessotherwisenoted)
SymbolParameterRatingUnit
VDSDrain-SourceVoltage-40V
VGSGate-SourceVoltage±20V
ID@Tc25℃ContinuousDrainCurrent-VGS@-10V1-20A
ID@Tc100℃ContinuousDrainCurrent-VGS@-10V1-18A
IDMPulsedDrainCurrent-60A
ESASinglePulseAvalancheEnergy37mJ
IASAvalancheCurrent-27.2A
PD@Tc25℃PowerDissipation103W
TSTGOperatingandStorageTemperatureRange-55to150℃
TJOperatingandStorageTemperatureRange-55to150℃
RθJATherm
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