HF60N03DF 60A 30V PDFN3x3-8L 深圳黑锋科技.pdf

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HF60N03DF

30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

GeneralDescription

TheHF60N03DFusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgate

chargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBattery

protectionorinotherSwitchingapplication.

FeaturesApplication

VDS30VID60AVBUS

RDS(ON)8.5mΩ@VGS10V(Type6.0mΩ)

：Wirelessimpact

Mobilephonefastcharging

TypicalApplicationCircuit

HF60N03DFTypicalApplicationCircuit

AbsoluteMaximumRatings(TC25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnit

VDSDrain-SourceVoltage30V

VGSGate-SourceVoltage+20V

ID@Tc25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V60A

ID@Tc70℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V29A

IDMPulsedDrainCurrent92A

EASSinglePulsedAvalancheEnergy357.8mJ

IASAvalancheCurrent34A

PD@Tc25℃TotalPowerDissipation429W

TSTGStorageTemperatureRange-55to+150℃

TJOperatingJunctionTemperatureRange-55to+150℃

RθJAThermalResistanceJunction

专注电子行业10年，主营电源管理IC、MOS、方案配套，裕芯、拓微一级代理、并有国内多家原厂配合，为客户推荐最具性价比产品，降低成本，提高生产良率！

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