HF80N03DF 80A 30V PDNF3X3-8L 深圳黑锋科技.pdf

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HF80N03DF

30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

GeneralDescription

TheHF80N03DFusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgate

chargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBattery

protectionorinotherSwitchingapplication.

FeaturesApplication

VDS30VID80ABatteryprotection

RDS(ON)4.0mΩ@VGS10V(Type3.3mΩ)

：Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

TypicalApplicationCircuit

HF80N03DFTypicalApplicationCircuit

AbsoluteMaximumRatings(TC25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnit

VDSDrain-SourceVoltage30V

VGSGate-SourceVoltage+20V

ID@Tc25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V80A

ID@Tc100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V65A

IDMPulsedDrainCurrent360A

EASSinglePulsedAvalancheEnergy3144.7mJ

IASAvalancheCurrent53.8A

PD@Tc25℃TotalPowerDissipation443.4W

PD@TA25℃TotalPowerDissipation41.67W

TSTGStorageTemperatureRange-55to+150℃

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