微电子工艺技术课后作业hw5solutions.doc

课程编号：2152643-HWS5-1

布置时间：2018,11.29缴交时间：2018,12.13发布时间：2018,12.18

一、简答题；

1.[5%]葡单列幽CVD王艺流程

①反应剂被携带气体别从质应器，梅底底新面附进形成平流区

②在主气流申的反座剂越速迪界层扩散到硅片表面③反应剂被吸附在硅片表面，并进行化学反应

④化学反应生成渤圃态物质，即所要的淀种物，在硅片表面成核、生长成薄膜

⑤反应居的气辅翻产物，离开村底表面，扫配回边界层；并随输遥气体排出度盛室

2.[5%]简单列出集成电路CWD工艺对淀积萧膜的要求

①厚度均匀

②可控制组分及组分的比例

⑧高纯度以及高密度

函薄膜结将韵离度完整桂

⑤良好的电学特性

⑥良好的附着性，表面平整

承很缺陷密度

⑧鲁阶覆盖好；填亮能务强

3.[5%]APGVD王艺的优缺点。.

(1)APCVD系统的优点：

具有高沉积速率，可达6000～10000埃/imin(2)APCVD的缺点

①硅片水平放置，量产受限，易污染。

②反应速度受多种因素影响，反应室厌升、气体流速、硅片往置等都会彩响速度。

⑧均匀性不好，APCVD一般用在犀的介质淀积。

④APEVB有气箱度应形成颗粒物，但是可改通过释低度应荆滚度避免气霜度应发生。

4.[5%]LPCVD王艺的优缺点。.

LPCVD优点

①批章王芭，同时处理100-200片

⑧薄膜厚度均匀性好

③台阶覆盖性较好

④生产效率高，生产成秦低

LPCVD缺点：

①淀积速率低

⑧涎积温度高(650℃)

5.[5%]PECVD王艺的优缺点。.

PECVD王艺的优点：

①更低的王艺温度(250=450℃);

③对离的深宽比阃隙有好的壤亮能力；

⑧渡积的膜对硅片有优良的黏附能力；

④高的液积速率；

⑤少的针孔和室洞，因为有离的膜密度；⑥王艺温度低，因雨应用范围广。

PECVD王艺的缺点：

①要来即系统②高成来⑧有颗粒洁污

6.[109]慈结①一定气流速率下CVD王艺中薄膜生长速度和淀积温度的美系.

②一定温度下CVD王艺申薄膜生长速度和气流速率的美系。

①一定气流速率下生长速度和淀积温度的美系

在较低的温度区，反应速率会随着温度的增加而增加；当温度高手莱一点后，反应速度高手气流糙供速度；此时温度井得多离淀赖速率不再增加。

⑧一定温度下生长速度和气流速率的美系

在较低的气体流速时，薄膜生长速度随着气体流速的增加而增加；当气体流速高手莱一点后，气体流速高手反应速度；此时淀积速率不再增加。

7:110%]劲出；SiOQWD工营中单的速源原各选基共列出其供学应液或式。

列举出CVDSiO2在集成电路中的应用，并根据应用特点分析可能实现该应用的制备五艺。

CVDSiO?中氧的来概汲花学发应或(式作)个)

φ22

油

EOS

②TEOS

Si(OC?H?)?→SiO?+C?H?+2H?O

Si(OC?H?)?+8O?→SiO?+10H?O+8CO

SF±N?Q→SiO?52J?±2H

CVD-O2的应用及其实现该应用的制备工艺

①浅槽隔离的殖用及其实现该应用的工艺

PECVDTEOS,APCVDO3/TEOS,HDPCVDO3

/TEO3,SACVDO3/TEO8

②侧壁间橘层

PECVBTE8S

3)属淀积前介贫PMI〕

)金属淀积前介质PM

PECVDTEOS,APCVDO3/TEOSHDPCVDO3

HTEOS,APCVDO3/TEOSHDPCVDO3

/FBOS层间介质ILD

配食属层闻介质IHPCVDO3/TEOSHDPCVDO3

PECSTEOS,APCVDO3/TEOSHDPCVDO3/TEOS

8.[109]列出氮他硅淀积王芭中的三种来源气体?并列出其化学反应式。

列出；CVDSiN?在集成电路出的产用应弟根据麻磨捷南分概弯能实现该应用的制备五营。

CVDSi中的气注意不是题题的数表源体)

③侧壁空间层的刻蚀停止层或空间层

PRCVD或LPCVD

OPSG或BPSG淀积前的扩蔽停正层

LBCVB

7中行

!对准立艺的刻蚀停正层牢

CPCVABENDOC,CON

高清无水

属化层间介质密封层和刻蚀停止层

国铜金属化尾闻合质密封层和刻蚀停止层

统或LPPEEVD

⑦钝化层PECVD

iH4

①SiH4

②NH3

②NH3

③N2

③N2

3SiH?+4NH?→S