西南交通大学电力电子技术模拟试卷-B.docxVIP

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填空题(每空3分,共30分)

1.在晶闸管、MOSFET、IGBT中,属于半控型器件的是晶闸管;属于电流控制型器件的是晶闸管;属于复合型器件的是IGBT。

2.基本的非隔离型直直变换器主要包括升压变换器、降压变换器、升降压变换器。

3.单相桥式全控整流电路带阻性负载时,晶闸管的触发角移相范围为0-180°;带感性负载且未并联续流二极管时,晶闸管的触发角移相范围为0-90°,带感性负载且并联了续流二极管时,晶闸管的触发角移相范围为0-180°。

4.如图1所示的阴影部分为晶闸管处于导通状态的电流波形,假设波形的最大值为IM=5A,则

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