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公开了绝缘体上硅(SOI)器件以及对应的制造方法。该方法从绝缘体上硅(SOI)晶片制造功率半导体器件,其中SOI晶片包括硅器件层、体硅晶片和将硅器件层与体硅晶片分开的掩埋氧化物层。方法包括:在硅器件层上形成硬掩模,其中,硬掩模覆盖硅器件层的一个或更多个第一区域并暴露硅器件层的一个或更多个第二区域;以及在形成任何场氧化物结构之前和在注入任何器件区域之前,在由硬掩模暴露的硅器件层的一个或更多个第二区域上选择性地生长外延硅,使得一个或更多个第二区域的厚度相对于一个或更多个第一区域增加。本发明还描述了根
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117637618A
(43)申请公布日2024.03.01
(21)申请号202311087601.6(51)Int.Cl.
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