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公开了一种具有垂直晶体管的三维存储器件及其形成方法。在示例中，存储器件包括存储单元的阵列，每个存储单元包括垂直晶体管。沿第一方向，垂直晶体管中的一个垂直晶体管在平面图中布置在两个分隔结构之间。每个所述分隔结构包括突起，并且所述分隔结构与对应的突起是一体的。所述存储器件还包括多条位线，其包括至少一个导电层。至少一个导电层布置在所述两个分隔结构的两个突起之间并且在垂直晶体管中的所述一个垂直晶体管上，以将所述位线中的一条位线与垂直晶体管中的所述一个垂直晶体管耦合。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117693821A
(43)申请公布日2024.03.12
(21)申请号202380009443.4(74)专利代理机构北京永新同创知识产权代理
(22)申请日2023.04.
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