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新型源漏结构MOSFET的设计和工艺制备研究的中期报告
这是一份关于新型源漏结构MOSFET的设计和工艺制备研究中期报告。以下是具体内容：
一、研究背景及目的
MOSFET是广泛使用的晶体管结构，其中的源漏结构一般采用传统的侧向结构。然而，如何进一步提高MOSFET的性能，成为了当前研究的焦点之一。因此，本研究旨在设计一种新型源漏结构MOSFET，通过对比实验验证它可能具有的更高性能，并探究其制备工艺。
二、研究内容和进展
1.设计新型源漏结构
本研究采用了晶体管内的电势降与场效应相结合的原理，创新性地提出了一种漏-漏结构的源漏设计。通过这种设计，可以在漏端引入高场效应，使得漏端有更高的导电性能。初步计算结果表明，这种源漏结构MOSFET具有更好的性能。
2.确定优化工艺
根据新结构的特点，本研究确定了优化的制备工艺。主要考虑到杂质控制、电性能、结构参数等各个方面。初步实验结果表明，采用优化工艺制备的晶体管性能提高明显。
3.制备新型MOSFET器件
根据确定的制备工艺，本研究成功制备了新型漏-漏结构的源漏MOSFET器件。初步测试结果表明，其性能优于传统侧向结构的MOSFET器件。其中，漏端的高导电性是提高性能的主要因素。
三、下一步计划
1.进一步测试新型MOSFET器件的性能，比较与传统MOSFET的差异。
2.优化制备工艺，进一步提高器件性能。
3.探究新型源漏结构MOSFET的物理机制，深入理解高导电性的形成原因。
四、结论
本研究通过创新性的设计和优化工艺，成功制备了新型漏-漏结构的源漏MOSFET器件。初步测试结果表明，其性能优于传统侧向结构的MOSFET器件，其中漏端高导电性是主要优势之一。下一步，我们将进一步研究、优化和探究这一新型MOSFET结构的机制，为晶体管技术的进步做出贡献。
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