一种背面处理法制备N-TOPCon晶硅太阳能电池的方法.pdfVIP

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2024-03-16 发布于北京
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一种背面处理法制备N-TOPCon晶硅太阳能电池的方法.pdf

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本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种背面处理法制备N‑TOPCon太阳能电池的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)清洗制绒；(2)正面硼扩散；(3)背面处理方法；(4)隧穿氧化钝化结构的制备；(5)正面清洗及正面去绕镀；其中，步骤(3)所述背面处理方法具体包括：(a)背面酸洗；(b)刻蚀；(c)抛光；(d)微制绒。通过背面处理方法，本发明能在降低背面复合的同时，降低背面接触电阻，从而有效地提高了电池的效率。本发明制备的产品具有较好的平衡开压、电流和填充的效果，同时背面酸刻蚀和碱抛光协同降

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117712225A

(43)申请公布日2024.03.15

(21)申请号202311739218.4

(22)申请日2023.12.18

(71)申请人常州顺风太阳能科技有限公司

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